stake官网入口

中文 EN
首页
关于stake官网入口
新品宣布
650V Super Junction N-Channel MOSFET
650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳stake官网入口科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品，可以知足低导通消耗、低开 关消耗、EMI兼容性以及差别电路拓扑结构应用要求，产品具有优异的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)性能，降低导通消耗和开关消耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳 定性及性能。
2.开关速率与EMI平衡、更低的Trr特点，适用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领 域，亦可知足一些半桥或种种桥式电路拓扑结构应用要求。
产品特点 1.接纳stake官网入口科技特殊多层外延工艺制程设计，具有更高的工艺稳固性和可靠性，开关速率与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通消耗和开关消耗低的特点；
3.接纳TO-252/ITO-220AB封装，具有更好的热值特征。
规格书
相关新品

用于泄电�；さ男」β士煽毓�

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

用于汽车电子的N100V MOSFET新品

应用于散热电扇的NP合封MOSFET

IGBT快速系列

MT-W三相方桥新品

用于负载开关的P 40V Trench新品

3GBJ三相插件桥封装新品

SOD-123HE瞬态抑制二极管

便携式储能电源专用插件类快恢复桥

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图